Hurtig skift tyristor

Beskrivelse:

Hurtig switch-tyristor, med samme struktur og symbol på fasestyrings-tyristor, mens de bedre statiske egenskaber, især dynamiske egenskaber, kræves af den højfrekvente anvendelse af ensretter-, snit-, inverter- og frekvenskonverteringskredsløb.De dynamiske parametre for den hurtige tyristor er hurtig tænd-hastighed og tænd-ekspansionshastighed, mindre omvendt genoprettelsesladning og kort sluk-tid, høj kritisk stigningshastighed for tændt strøm (di/dt) og kritisk hastighed på stigning i off-state spænding (dv/dt).Den nominelle strøm af den hurtige tyristor inden for den nominelle frekvens falder ikke eller falder lidt, når frekvensen stiger.

Den hurtige switch tyristor fremstillingsstandard og behandlingsteknologi fra RUNAU Electronics blev introduceret fra USA siden 1980'erne, som en pioner inden for fremstilling af tyristor i Kina, havde RUNAU's tekniske team erhvervet banebrydende viden og rigelig fremstillingserfaring i mere end 30 år.På basis af traditionel fremstillingsproces havde talentteknikerne fra RUNAU Electronics udviklet den moderne teknologi til fremstilling af tyristor med fordele ved europæiske produkter, kvaliteten og ydeevnen er forbedret betydeligt, flere store gevinster opnået i kraftelektronikapplikationer, og der blev skabt mere værdi for partnere.

Introduktion:

1. Chip

Tyristorchippen fremstillet af RUNAU Electronics er anvendt sintret legeringsteknologi.Silicium- og molybdænwaferen blev sintret til legering af rent aluminium (99,999%) under højvakuum og højtemperaturmiljø.Administrationen af ​​sintringsegenskaber er nøglefaktoren for at påvirke kvaliteten af ​​tyristor.RUNAU Electronics' know-how ud over at styre legeringsforbindelsesdybden, overfladeplanhed, legeringshulrum samt fuld diffusionsevne, ringcirkelmønster, speciel portstruktur.Den specielle behandling blev også anvendt til at reducere enhedens bærerlevetid, således at den interne bærerrekombinationshastighed accelereres kraftigt, enhedens omvendte genvindingsladning reduceres, og omskiftningshastigheden forbedres følgelig.Sådanne målinger blev anvendt for at optimere de hurtige koblingskarakteristika, on-state karakteristika og overspændingsstrømegenskaber.Ydeevne og ledningsdrift af tyristor er pålidelig og effektiv.

2. Indkapsling

Ved streng kontrol af fladhed og parallelitet af molybdæn wafer og ekstern pakke, vil chippen og molybdæn wafer blive integreret med ekstern pakke tæt og fuldstændigt.Dette vil optimere modstanden af ​​overspændingsstrøm og høj kortslutningsstrøm.Og måling af elektronfordampningsteknologi blev brugt til at skabe en tyk aluminiumsfilm på siliciumwaferoverfladen, og rutheniumlag belagt på molybdænoverfladen vil øge den termiske træthedsmodstand meget, og arbejdstiden for hurtigskifttyristor vil blive øget betydeligt.

Teknisk specifikation

1. Hurtig switch tyristor med legeringstype chip fremstillet af RUNAU Electronics, serie af I_TAVfra 200A til 4000A og V_DRM/V_RRMfra 1200V til 4500V.
2. I_GT, V_GTog jeg_Her testværdierne ved 25℃, medmindre andet er angivet, er alle de andre parametre testværdierne under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformet halvbølge strømbasebredde.Ved 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ved 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;jeg²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: