Fasekontroltyristor (frit flydende type)

Beskrivelse:

Med udviklingen af ​​øget effekt og kapacitet af konverterudstyr, især HVDC-transmission, anmodes udgangseffektkapaciteten for enheds-tyristor om at øges tilsvarende, hvilket vil reducere installationsmængden af ​​tyristor i serie- og parallelforbindelseskredsløb.Enhedens størrelse og vægt vil blive reduceret, lavere investering, jævn strøm og jævn spænding vil blive realiseret nemt, den pålidelige drift og kommercielle værdi vil blive øget betydeligt.

Den frit flydende siliciumteknologi, der anvendes til fremstilling af højstrøms-tyristor med høj effekt, vil tilfredsstille kravene til høje standardapplikationer.Og i juli 2019 havde RUNAU Electronics udviklet 5200V tyristor med 5" chip med succes og leveret til kunde, der anvendte i Kina HVDC-projekt.

Introduktion:

1. Chip

Den høje standard tyristor chip fremstillet af RUNAU Electronics er frit flydende teknologi anvendt.Det er velkendt som den nyeste og modne teknologi til fremstilling af højspændingstyristor med høj effekt.Det er almindeligt anvendt af de mest verdensklasse producenter.

Diffusionsprocessen blev optimeret i tæthed og bredde for at øge spændingsmodstanden, mindske spændingsfaldet i tilstanden og forbedre trigger- og dynamiske egenskaber.Nyt fotolitografimønster blev designet til at forbedre di/dt- og dv/dt-funktionen.Chippens kontaktstruktur blev rekonstrueret for at beskytte kanten af ​​siliciumwafer og katodeoverfladen, den omvendte spændingsydelse vil blive væsentligt forbedret.

2. Indkapsling

Fordelen ved frit flydende siliciumteknologi er, at deformationen mellem silicium og molybdæn wafer begrænses meget og molybdæn wafer forbrug reduceret.Mens fladheden af ​​siliciumwafer og kobberblok af pakken er meget påkrævet, er kravet til parallelitet og ruhed højere end legeringschipteknologi.Ved kontinuerlig forbedring og innovation havde RUNAU Electronic overvundet alle de tekniske vanskeligheder og barrierer.Den frit flydende teknologi, højspændings-tyristor med høj effekt med pålidelig ydeevne og kommerciel effektiv løsning blev udviklet og leveret til kunder.De fleste af dem er installeret i den højeffekts kontrollerbare ensretter, højspændings-softstarter, HVDC-krafttransmission, lokomotiv-trækkraft, dynamisk reaktiv effektkompensation og pulseffektapplikationssystem.

Teknisk specifikation

1. Fasestyret tyristor med chip af legeret type fremstillet af RUNAU Electronics, serie af I_TAVfra 350A til 5580A og V_DRM/V_RRMfra 3400V til 8500V.
2. I_GT, V_GTog jeg_Her testværdierne ved 25℃, medmindre andet er angivet, er alle de andre parametre testværdierne under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformet halvbølge strømbasebredde.Ved 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ved 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;jeg²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: