Fasekontroltyristor (legeringstype)

Beskrivelse:

Thyristor, også kendt som Silicon Control Rectifier (SCR), er en højeffekts halvlederenhed, der består af tre PN-strukturer.Med hensyn til ydeevne har tyristoren ikke kun ensrettet ledningsevne, men har også mere værdifuld kontrollerbarhed end silicium ensretterelementet, som kun to tilstande af ledning og off-tilstand, til at styre stor effekt med lille effekt, effektforstærkning op til hundredvis eller tusindvis af gange.Reaktionen er meget hurtig, tænder og slukker på mikrosekunder.Berøringsfri drift, ingen gnister, ingen støj, mens høj effektivitet og lave omkostninger.Derfor, især i højstrømforsyningssystem, er tyristor blevet meget brugt i ensretterkredsløb, statisk bypass-afbryder, kontaktfri udgangskontakt og andre kredsløb.

Tyristorproduktionsstandarden og procesteknologien fra RUNAU Electronics blev introduceret fra USA siden 1980'erne, som en pioner inden for fremstilling af tyristor i Kina, havde RUNAU's tekniske team erhvervet banebrydende viden og rigelig fremstillingserfaring i mere end 30 år.På basis af traditionel fremstillingsproces havde talentteknikerne fra RUNAU Electronics udviklet den moderne teknologi til fremstilling af tyristor med fordele ved europæiske produkter, kvaliteten og ydeevnen er forbedret betydeligt, flere store gevinster opnået i anvendelsen af ​​kraftelektronik felter, og der blev skabt mere værdi for partnere.

Introduktion:

1. Chip

Tyristorchippen fremstillet af RUNAU Electronics er anvendt sintret legeringsteknologi.Silicium- og molybdænwaferen blev sintret til legering af rent aluminium (99,999%) under højvakuum og højtemperaturmiljø.Administrationen af ​​sintringsegenskaber er nøglefaktoren for at påvirke kvaliteten af ​​tyristor.RUNAU Electronics' know-how, ud over at styre legeringsforbindelsesdybden, overfladeplanhed, legeringshulrum samt fuld diffusionsevne, centerport, ringcirkelmønster blev anvendt for at muliggøre pålidelig og højeffektiv ledningsdrift af tyristor, for at sikre ydeevne af høj kvalitet.

2. Indkapsling

Ved streng kontrol af fladhed og parallelitet af molybdæn wafer og ekstern pakke, vil chippen og molybdæn wafer blive integreret med ekstern pakke tæt og fuldstændigt.Dette vil optimere modstanden af ​​overspændingsstrøm og høj kortslutningsstrøm.Og måling af elektronfordampningsteknologi blev brugt til at skabe en tyk aluminiumsfilm på siliciumwaferoverfladen, og rutheniumlag belagt på molybdænoverfladen vil øge modstandsdygtigheden over for termisk træthed meget, thyristorens levetid vil blive øget betydeligt.

Teknisk specifikation

1. Fasestyret tyristor med chip af legeret type fremstillet af RUNAU Electronics, serie af I_TAVfra 300A til 6000A og V_DRM/V_RRMfra 800V til 4400V.
2. I_GT, V_GTog jeg_Her testværdierne ved 25℃, medmindre andet er angivet, er alle de andre parametre testværdierne under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformet halvbølge strømbasebredde.Ved 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ved 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;jeg²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: