PRODUKTIONSSTANDARD FOR ZW-SERIEN SVEJSEDIODE

Kort beskrivelse:

Denne produktionsstandard gælder for svejsedioder med en nominel fremadgående gennemsnitsstrøm på 7100A ~ 18000A i henhold til skaldimensionen.


Produktdetaljer

Produkt Tags

De normative referencer, som blev anvendt af Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co i produktionen af ​​svejsedioder, var følgende:

1. GB/T 4023—1997 Diskrete enheder af halvlederenheder og integrerede kredsløb Del 2: Ensretterdioder

2. GB/T 4937—1995 Mekaniske og klimatiske testmetoder for halvlederenheder

3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices - Modeling Method

4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Emballage

5. JB/T 7624—1994 ensretterdiodetestmetode

Model og størrelse

1. Modelnavn: Modellen af ​​svejsedioden refererer til reglerne i JB/T 2423-1999, og betydningen af ​​hver del af modellen er vist i figur 1 nedenfor:

20

2. Grafiske symboler og terminal (under) identifikation

Grafiske symboler og terminalidentifikation er vist i figur 2, pilen peger på katodeterminalen.

21

3. Form og monteringsmål

Formen af ​​den svejsede diode er konveks og skivetype, og formen med størrelse skal opfylde kravene i figur 3 og tabel 1.

22
Vare Dimension (mm)
  ZW7100 ZW12000 ZW16000/ZW18000
Katodeflange (Dmax) 61 76 102
Katode og anode Mesa(D1) 44±0,2 57±0,2 68±0,2
Max diameter på keramisk ring(D2max) 55,5 71,5 90
Samlet tykkelse (A) 8±1 8±1 13±2
Monteringspositionshul Huldiameter:φ3,5±0,2mm, huldybde: 1,5±0,3mm
Bemærk: detaljeret dimension og størrelse kontakt venligst

Karakterer og egenskaber

1. Parameterniveau

Serien af ​​reverse repetitive peak voltage (VRRM) er som angivet i tabel 2

Tabel 2 Spændingsniveau

VRRM(V) 200 400
Niveau 02 04

2. Grænseværdier

Grænseværdier skal være i overensstemmelse med tabel 3 og gælde for hele driftstemperaturområdet.

Tabel 3 Grænseværdi

Grænseværdi

Symbol

Enhed

Værdi

ZW7100 ZW12000 ZW16000 ZW18000

Husets temperatur

Tcase

-40-85

Tilsvarende overgangstemperatur (maks.)

T(vj)

170

Stuetemperatur

Tstg

-40-170

Gentagen spidsspænding (maks.)

VRRM

V

200/400

200/400

200/400

200/400

Omvendt ikke-repetitiv spidsspænding (maks

VRSM

V

300/450

300/450

300/450

300/450

Fremadgående gennemsnitsstrøm (maks.)

IF (AV)

A

7100

12000

16000

18.000

Fremadgående (ikke-gentagende) overspændingsstrøm (maks.)

IFSM

A

55.000

85.000

120.000

135.000

I²t (maks.)

I²t

kA²s

15100

36100

72000

91000

Monteringskraft

F

kN

22-24

30-35

45-50

52-57

3. Karakteristiske værdier

Tabel 4 Max karakteristiske værdier

Karakter og stand Symbol Enhed

Værdi

ZW7100

ZW12000

ZW16000

ZW18000

Fremadgående spidsspændingIFM=5000A, Tj=25℃ VFM V

1.1

1.08

1.06

1,05

Reversere gentagne spidsstrømTj=25℃, Tj=170℃ IRRM mA

50

60

60

80

Termisk modstand Junction-to-case Rjc ℃/W

0,01

0,006

0,004

0,004

Bemærk: for særlige krav, kontakt venligst

Detsvejsediodeproduceret af Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor anvendes i vid udstrækning i modstandssvejser, mellem- og højfrekvente svejsemaskiner op til 2000Hz eller derover.Med en ultra-lav fremadspænding, ultra-lav termisk modstand, avanceret fremstillingsteknologi, fremragende substitutionsevne og stabil ydeevne for globale brugere, er svejsedioden fra Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor en af ​​de mest pålidelige enheder fra Kinas kraft halvlederprodukter.


  • Tidligere:
  • Næste:

  • Skriv din besked her og send den til os